儀器簡介

光刻機/紫外曝光機 (UV Aligner)。本機型為接觸、接近式光刻機，可雙面對準曝光。

性能指標

光刻參數(shù)：

襯底尺寸：5mm*5mm～ 100mm*100mm chip ；Φ2"～Φ6" wafer；

掩膜版尺寸：2.5"～7"

對準精度：± 0.5μm

分辨率：0.6μm

應用范圍

可應用于MEMS器件、薄膜晶體管、紅外傳感器、激光器等半導體產品的研發(fā)及生產。適用于Si、GaN、GaAs、InGaAs、InP、石英片、藍寶石片等多種襯底材料，適合碎片、圓片等不同基片尺寸。

工藝圖：